紫外光刻機的主要性能指標包括：支撐基板的尺寸范圍、分辨率、對位精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。

　　

　　1、分辨率是描述光刻可以達到的最細線精度的一種方式。光刻機的分辨率受到光源衍射的限制，因此受到光源、光刻系統、光刻膠和工藝的限制。

　　

　　2、對準精度是多層曝光時層間圖案的定位精度。

　　

　　3、曝光方式分為接觸接近、投影和直寫。

　　

　　4、曝光光源的波長分為紫外區、深紫外區和極紫外區。光源包括汞燈、準分子激光器等。

　　

　　紫外光刻機廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米技術。重要的技術在于以下兩個方面：掩模晶圓對準，以及將掩模上的圖案復制到晶圓上，為下一步或離子注入工藝做準備。曝光方式采用壓力可調的接觸曝光，有效降低了光刻膠對掩模版的污染和掩模版的磨損，提高了掩模版的使用壽命。因此，曝光機/光刻系統以其高性價比令人印象深刻。

　　

　　紫外光刻機高分辨率光刻，光燒蝕/光解/光催化工藝，表面能改性，臭氧產生，低損傷原子表面清潔，增強薄膜附著力，高功率平面真空紫外光為光處理提供了新的可能性。大功率弧光燈的革命性使用具有出色的均勻性和通用性，高效緊湊的模塊化設計，這些都是在172nm光源上實現的。此外，還創造性地推出了真空紫外線處理系統。