紫外光刻機可廣泛用于MEMS和光電子，例如LED生產。它方便處理各種非標準基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料，包括砷化鎵和磷化銦。而且該設備可通過選配升級套件，實現紫外納米壓印光刻。它具有以下亮點：高分辨率掩模對準光刻，特征尺寸優于0.5微米、裝配SUSS的單視場顯微鏡或分視場顯微鏡，實現快速準確對準、針對厚膠工藝進行優化的高分辨光學系統、可選配通用光學器件，在不同波長間進行快速切換等。
隨著電子業的飛速發展,對作為電子元器件基礎的印制板的需求量及其加工精度的要求越來越高。紫外線光刻機是印制板制造工藝中的重要設備。傳統光刻機的玻璃-邁拉曬架在生產過程中需要人工趕氣,邁拉膜需要經常更換。由于冷卻系統過于臃腫,使得其生產成本高、效率低,已不能滿足PC B 生產的需要。在實驗基礎上設計了雙玻璃曬架光刻機，改進了其主要組成部分,包括曬架系統、光路系統、冷卻系統以及電氣和控制系統的整體設計。
在計算機的控制下，利用聚焦電子束對有機聚合物（通常稱為電子抗蝕劑或光刻膠）進行曝光，受電子束輻照后的光刻膠，其物理化學性質發生變化，在一定的溶劑中形成良溶或非良溶區域，從而在抗蝕劑上形成精細圖形。
對光源系統的要求
a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現象會更嚴重。
b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。
曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。
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